單項選擇題在抗震設防烈度為8度及8度以上地區(qū)，對不能同時砌筑而又必須六只的臨時間斷處應砌成斜槎，普通磚砌體斜槎水平投影長度不應小于高度的（）。
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題磚砌體工程中每一生產廠家，燒結普通磚、混凝土實心磚沒（）為一檢驗批，不足數(shù)量時按1批計，抽檢數(shù)量為1組。
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
2.單項選擇題夾心復合墻的砌筑，拉結件設置應符合設計要求，拉結件在葉墻上的擱置長度不應小于葉墻厚度的2/3，并不應小于（）。
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
3.單項選擇題配置砌筑砂漿時，各組分材料應采用質量計量，水泥及各種外加劑配料的允許偏差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
4.單項選擇題砌筑砂漿應進行配合比設計，當砌體為燒結普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時，其砂漿稠度應為（）。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
5.單項選擇題扁頂法的特點有（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結果綜合反映了材料質量和施工質
B.直觀性，可比性強
C.砌體強度較高或軸向變形較大時，容易測出抗壓強度
D.檢測部位局部破損
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題