單項(xiàng)選擇題磚砌體組砌方法應(yīng)正確，內(nèi)外搭砌，上下錯(cuò)縫?；焖畨χ胁坏糜虚L(zhǎng)度大于300mm的通縫，長(zhǎng)度200-300mm的通縫每間不超過(guò)（）處，且不得位于同一面墻體上。
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
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1.單項(xiàng)選擇題在抗震設(shè)防烈度為8度及8度以上地區(qū)，對(duì)不能同時(shí)砌筑而又必須六只的臨時(shí)間斷處應(yīng)砌成斜槎，普通磚砌體斜槎水平投影長(zhǎng)度不應(yīng)小于高度的（）。
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
2.單項(xiàng)選擇題磚砌體工程中每一生產(chǎn)廠家，燒結(jié)普通磚、混凝土實(shí)心磚沒(méi)（）為一檢驗(yàn)批，不足數(shù)量時(shí)按1批計(jì)，抽檢數(shù)量為1組。
A.5萬(wàn)塊
B.10萬(wàn)塊
C.15萬(wàn)塊
D.20萬(wàn)塊
3.單項(xiàng)選擇題夾心復(fù)合墻的砌筑，拉結(jié)件設(shè)置應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求，拉結(jié)件在葉墻上的擱置長(zhǎng)度不應(yīng)小于葉墻厚度的2/3，并不應(yīng)小于（）。
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
4.單項(xiàng)選擇題配置砌筑砂漿時(shí)，各組分材料應(yīng)采用質(zhì)量計(jì)量，水泥及各種外加劑配料的允許偏差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
5.單項(xiàng)選擇題砌筑砂漿應(yīng)進(jìn)行配合比設(shè)計(jì)，當(dāng)砌體為燒結(jié)普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時(shí)，其砂漿稠度應(yīng)為（）。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題