單項選擇題小砌塊墻體應孔對孔、肋對肋錯縫搭砌,多排孔小砌塊的搭接長度不宜小于小砌塊長度的1/3,且不應小于()。
A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
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1.單項選擇題磚砌體基礎、墻、柱頂面標高允許偏差為()。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
2.單項選擇題原位單磚雙剪法在測區(qū)內(nèi)選擇測點,以下規(guī)定哪個符合()。
A.同一墻體的各測點之間,水平方向凈距不應小于0.62m,垂直方向凈距不應小于0.5m
B.每個測區(qū)隨機布置的,n個測點,在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個測點(試件)
C.試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應為6~10mm
D.下列部位不應布設測點:門、窗洞口側邊120mm范圍內(nèi),后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體;獨立磚柱和窗間墻
3.單項選擇題磚砌體組砌方法應正確,內(nèi)外搭砌,上下錯縫?;焖畨χ胁坏糜虚L度大于300mm的通縫,長度200-300mm的通縫每間不超過()處,且不得位于同一面墻體上。
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
4.單項選擇題在抗震設防烈度為8度及8度以上地區(qū),對不能同時砌筑而又必須六只的臨時間斷處應砌成斜槎,普通磚砌體斜槎水平投影長度不應小于高度的()。
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
5.單項選擇題磚砌體工程中每一生產(chǎn)廠家,燒結普通磚、混凝土實心磚沒()為一檢驗批,不足數(shù)量時按1批計,抽檢數(shù)量為1組。
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題