單項(xiàng)選擇題測(cè)量硅中氧濃度常用的方法是().
A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題下列鑄造多晶硅的制備方法中,()沒有坩堝的消耗,降低了成本,同時(shí)又可減少雜質(zhì)污染長(zhǎng)度。
A.布里曼法
B.熱交換法
C.電磁鑄錠法
D.澆鑄法
2.單項(xiàng)選擇題列多晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是().
A.加熱
B.化料
C.晶體生長(zhǎng)
D.冷卻
3.單項(xiàng)選擇題在晶體凝固過(guò)程中,存在溫度梯度的是().
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
4.單項(xiàng)選擇題硅元素的原子序數(shù)是().
A.13
B.14
C.15
D.16
5.單項(xiàng)選擇題以下哪一種屬于金剛石結(jié)構(gòu)().
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
最新試題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題