單項選擇題列多晶硅生長過程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是().
A.加熱
B.化料
C.晶體生長
D.冷卻
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1.單項選擇題在晶體凝固過程中,存在溫度梯度的是().
A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分
2.單項選擇題硅元素的原子序數(shù)是().
A.13
B.14
C.15
D.16
3.單項選擇題以下哪一種屬于金剛石結(jié)構(gòu)().
A.Si
B.Cu
C.Fe
D.Al
4.單項選擇題半導(dǎo)體工業(yè)所用的硅單晶()是用CZ法生長的。
A.70%
B.80%
C.90%
D.60%
5.單項選擇題下列屬于單晶硅片的一般形狀().
A.方形
B.三角形
C.橢圓形
D.梯形
最新試題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題