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問答題什么是MOS晶體管的有源寄生效應(yīng)？

1.問答題什么是集成雙極晶體管的無源寄生效應(yīng)？

在實際的集成晶體管中存在著點和存儲效應(yīng)和從晶體管有效基區(qū)晶體管要引出端之間的歐姆體電阻，他們會對晶體管的工作產(chǎn)生影響。

2.問答題簡述集成雙極晶體管的有源寄生效應(yīng)在其各工作區(qū)能否忽略？

3.問答題以N阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些優(yōu)缺點？并請?zhí)岢龈倪M方法。

4.問答題以p阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些不足？

NPN晶體管電流增益小，集電極串聯(lián)電阻大，NPN管的C極只能接固定電位。

5.問答題簡述硅柵p阱CMOS的光刻步驟。

P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線。