A.按原理圖一字型布局;
B.ESD保護器優(yōu)先靠近連接器;
C.R\G\B加粗,包地并間隔打孔;
D.數(shù)模分開布局布線;
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A.晶振下面不能有非地外的走線或過孔;
B.晶振輸出時鐘最好接一個負載;
C.時鐘線允許接多負載;
D.晶振下面鋪地銅箔并打地過孔;
A.確保走線STUB最短,并放在晶體與IC之間;
B.晶體走線要越短越好,最長不超過1000mil;
C.晶體的兩個輸出信號按照類差分走線,線寬要適當加粗并包地;
A.電源層相對地層內(nèi)縮必須≥20Mil;
B.孤立銅皮無需刪除;
C.保證層疊對稱性,避免翹曲;
D.過孔和壓接孔可以采用全連接;
A.走線盡量以最短的距離走出BGA區(qū)域,少在BGA區(qū)域內(nèi)穿越;
B.走線盡量以直線方式出線,且走在兩個過孔中間位置;
C.濾波電容走線盡量不共用過孔,且走線要短;
D.電源走線流向應先經(jīng)過儲能大電容再進入BGA內(nèi)供電;
A.一般設計在B面(PrimarySide);
B.A面(SecondarySide)主要放置一些小器件;
C.BGA距離其它器件間距建議5mm以上(最少3mm);
D.Pitch小于0.8mm的BGA應該單獨設計兩個對角光學點;
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