A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.擊穿區(qū)
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A.基極、集電極、發(fā)射極
B.發(fā)射極、基極、集電極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.集電極、基極、發(fā)射極
A.60
B.75
C.80
D.100
A.發(fā)射極、基極、集電極
B.集電極、基極、發(fā)射極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.基極、集電極、發(fā)射極
PNP型晶體管工作在放大狀態(tài),三個(gè)極電位的關(guān)系是()。
A.A
B.B
C.C
D.D
測得電路中晶體三極管各電極相對(duì)于地的電位如圖,從而可判斷該晶體管工作在()。
A.飽和狀態(tài)
B.放大狀態(tài)
C.倒置狀態(tài)
D.截止?fàn)顟B(tài)
最新試題
CG放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?
在對(duì)數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí),設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns,若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確,那么在復(fù)位信號(hào)無效,計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下,仿真需運(yùn)行多長時(shí)間?()
CG放大器因其輸入電阻過小,因此沒什么用處。
?電路如圖所示,如果電容C2開路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。
當(dāng)VGS=0時(shí),能夠?qū)ǖ腗OS管為()
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示,當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象?()
?數(shù)字頻率計(jì)采用4個(gè)數(shù)字的BCD碼計(jì)數(shù)器,若采樣時(shí)間0.01s,那么它能夠測量的最大頻率是多少?()
?CD放大器的性能特征有()。?
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用,和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有()。
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核?()