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問(wèn)答題試說(shuō)明熱氧化法的兩種基本方法及每種方法的生長(zhǎng)機(jī)理（或過(guò)程），并比較兩種方法的主要異同點(diǎn)。

1.問(wèn)答題什么是氧化硅中網(wǎng)絡(luò)形成者和網(wǎng)絡(luò)改變者？并舉二例說(shuō)明它們對(duì)氧化層結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。

2.問(wèn)答題指出硅工藝中厚度最小的和最大的氧化層的主要應(yīng)用，并說(shuō)明它們的作用是否相同，以及為什么。

3.問(wèn)答題什么是表面鈍化？它的主要作用是什么？當(dāng)前CMOS工藝中最典型的表面鈍化層采用何種材料？

4.問(wèn)答題試說(shuō)明氧化層在硅工藝中的四種主要用途及主要原因，并舉例說(shuō)明各種用途的主要目的。

5.問(wèn)答題列出氧化硅的五種主要物理參數(shù)，并說(shuō)明實(shí)際中如何測(cè)試氧化層厚度。

密度，折射率，電阻率，介電強(qiáng)度，（相對(duì)）介電常數(shù)。
實(shí)際中可用折射率，介質(zhì)強(qiáng)度和介電常數(shù)來(lái)測(cè)量。