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問答題指出硅工藝中厚度最小的和最大的氧化層的主要應(yīng)用，并說明它們的作用是否相同，以及為什么。

1.問答題什么是表面鈍化？它的主要作用是什么？當(dāng)前CMOS工藝中最典型的表面鈍化層采用何種材料？

2.問答題試說明氧化層在硅工藝中的四種主要用途及主要原因，并舉例說明各種用途的主要目的。

3.問答題列出氧化硅的五種主要物理參數(shù)，并說明實(shí)際中如何測試氧化層厚度。

密度，折射率，電阻率，介電強(qiáng)度，（相對(duì)）介電常數(shù)。
實(shí)際中可用折射率，介質(zhì)強(qiáng)度和介電常數(shù)來測量。

4.問答題試說明熱氧化反應(yīng)為什么發(fā)生在Si—SiO₂界面上，以及這種反應(yīng)機(jī)制有何好處？

5.問答題氧化工藝產(chǎn)生的SiO₂為何種類型？并說明其結(jié)構(gòu)對(duì)其強(qiáng)度和密度的影響。