多項(xiàng)選擇題關(guān)于DDR3的信號(hào)線阻抗匹配，下列說法正確的是（）。

A.時(shí)鐘信號(hào)差分阻抗75–100Ω，參考平面完整
B.數(shù)據(jù)類信號(hào)單端信號(hào)線阻抗可以控制在40-50Ω之間，差分阻抗75–100Ω，參考平面完整
C.控制類信號(hào)單端信號(hào)線阻抗可以控制在40-50Ω之間，參考平面完整
D.以上說法都不對(duì)


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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于DDR3的數(shù)據(jù)類信號(hào)的布線要求，下列說法正確的是（）。

A.同一組DQ信號(hào)線之間的長(zhǎng)度差≤10mil
B.每組DQ信號(hào)線與其對(duì)應(yīng)的DQS信號(hào)線的走線長(zhǎng)度差≤10mil
C.不同組的數(shù)據(jù)線，誤差≤100mil
D.地址/命令/控制信號(hào)以時(shí)鐘為參考，走線長(zhǎng)度與時(shí)鐘信號(hào)的長(zhǎng)度差≤100mil

2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于DDR3的電源設(shè)計(jì)要求，下列說法正確的是（）。

A.VTT電源孤島盡可能靠近內(nèi)存顆粒以及終端調(diào)節(jié)模塊放置
B.終端調(diào)節(jié)模塊的Sense引腳走線需要從VTT電源孤島的中間引出
C.加大Vref的走線寬度并且將Vref的走線與其它走線隔離，降低Vref上的噪聲
D.以上說法都不對(duì)

3.多項(xiàng)選擇題關(guān)于DDR3的PCB布局布線要求，下列說法正確的是（）。

A.采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上拉電阻放在T點(diǎn)處，上拉電阻的走線長(zhǎng)度要小于500mil
B.采用FLY-BY拓?fù)渖侠娮璺旁谧詈笠黄珼DR3芯片的后端，上拉電阻的走線長(zhǎng)度要小于500mil
C.當(dāng)DDR3芯片所需的電流超過電源走線的通流能力，會(huì)因驅(qū)動(dòng)能力不足導(dǎo)致對(duì)信號(hào)處的錯(cuò)誤處理
D.DDR3布線減少過孔的數(shù)量是為了避免過孔的寄生電容和電感對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響

4.多項(xiàng)選擇題關(guān)于DDR3的新特性，下列說法正確的是（）。

A.Reset提供了超省電功能的命令，可以讓DDR3電路停止運(yùn)作、進(jìn)入超省電待命模式
B.ZQ則是一個(gè)新增的終端電阻校準(zhǔn)功能，用來校準(zhǔn)ODT（OnDieTermination）內(nèi)部終端電阻
C.PASR信號(hào)是局部Bank刷新的功能，針對(duì)整個(gè)內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫以達(dá)到省電功效
D.在DDR3系統(tǒng)中，Vref分可為兩個(gè)信號(hào)即VREFCA和VREFDQ，有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)

5.單項(xiàng)選擇題DDR2的ODT允許配置的阻值的四種模式是（）。

A.150Ω、120Ω、50Ω、0Ω
B.150Ω、100Ω、50Ω、0Ω
C.150Ω、75Ω、50Ω、10Ω
D.150Ω、75Ω、50Ω、關(guān)閉