最新試題
常壓的硅外延方法有（）。
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
光刻工藝對準誤差包括（）。
光刻工藝的特點包括（）。
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
