單項選擇題化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

A.還原劑
B.分散劑
C.腐蝕介質
D.磨料


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1.多項選擇題CMP的設備構成包括（）。

A.臺板
B.拋光液
C.拋光墊
D.夾持設備

2.多項選擇題新的平坦化方法有哪幾個？（）

A.固結磨料CMP技術
B.無磨粒CMP技術
C.無應力拋光技術
D.電化學機械平坦化技術

3.多項選擇題光刻工藝對準誤差包括（）。

A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.轉動
D.套準誤差

4.多項選擇題光刻工藝的特點包括（）。

A.決定特征尺寸的關鍵工藝
B.光刻與芯片的價格和性能密切相關
C.光刻工藝過程復雜
D.復印圖像和化學作用相結合的綜合性技術

5.單項選擇題光刻工藝的設備核心是（）。

A.掩膜版
B.對準和曝光
C.光刻機
D.光刻膠