單項選擇題下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細(xì)菌
2.單項選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是
3.單項選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()
A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法
4.多項選擇題多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
A.印刷多層法
B.生板疊層法
C.磁控濺射法
D.厚膜多層法
5.單項選擇題厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
A.有機物顆粒
B.塑料顆粒
C.玻璃顆粒
D.陶瓷顆粒
最新試題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型:判斷題
化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個?()
題型:單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()
題型:單項選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:單項選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:單項選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
題型:多項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用()。
題型:多項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
題型:多項選擇題