單項選擇題玻璃熔制的主要設備為()。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
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1.單項選擇題一次風占燃燒所需要空氣量的()。
A、15%-30%
B、20%―50%
C、40%―60%
D、50%―70%
2.單項選擇題水泥生料的主要原料不包括()。
A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
3.單項選擇題陶瓷的主要原料包括()。
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
4.單項選擇題陶瓷?;纱善诘钠鹗紲囟仁牵ǎ?/a>
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
5.單項選擇題回轉窯中溫度最高的是()。
A、分解帶
B、放熱反應帶
C、燒成帶
D、預熱帶
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
題型:單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題