單項選擇題硅酸鹽水泥熟料不含有哪種礦物:()
A、C2S
B、C3S
C、C3AF
D、C4AF
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1.單項選擇題陶瓷坯料成型方法中,哪種含水量最低:()
A.注漿坯料
B.可塑坯料
C.壓制坯料
D.其它
2.單項選擇題下列哪個不是調(diào)整陶瓷坯料的添加劑:()
A.解凝劑
B.結(jié)合劑
C.減水劑
D.潤滑劑
3.單項選擇題查哈里阿森(Zachariasen)提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中,氧的配位數(shù)不大于()
A、2
B、3
C、4
D、5
4.單項選擇題下列各種玻璃系統(tǒng)中屬于硬質(zhì)玻璃的是:()
A、鈉鈣硅玻璃
B、鉛硅酸鹽玻璃
C、硼硅酸鹽玻璃
D、磷酸鹽玻璃
5.單項選擇題下面關(guān)于介質(zhì)對玻璃侵蝕說法錯誤的是:()
A、濃酸對玻璃的侵蝕能力高于稀酸。
B、大氣對玻璃的侵蝕實質(zhì)上是水汽、CO2、SO2等作用的總和。
C、水氣比水溶液對玻璃具有更大的侵蝕性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化學(xué)穩(wěn)定性高。
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題