單項選擇題提高水泥抗蝕性的措施有三種，（）除外
A、調整水泥熟料的礦物組成
B、在水泥中摻混合材
C、提高混凝土致密度
D、提高硬度
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1.單項選擇題多晶材料在高溫時，在恒定應力作用下，由于形變不斷增加而導致斷裂稱為（）
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴展斷裂
D、應力斷裂
2.單項選擇題絕大部分硫酸鹽對于硬化水泥漿體都有顯著的侵蝕作用，只有（）除外
A、硫酸鋇
B、硫酸亞鐵
C、硫酸鎂
D、硫酸鋁
3.單項選擇題水泥強度是硬化水泥石能承受外力破壞的能力，根據(jù)受力形式不同可分三種，（）除外。
A、剪切強度
B、抗壓強度
C、抗拉強度
D、抗折強度
4.單項選擇題水泥體積安定性直接反應水泥質量的好壞，（）不是影響安定性的主要因素。
A、游離氧化鎂
B、游離氧化鈣
C、石膏的摻入量
D、氧化鋁
5.單項選擇題（）是指水泥的一種不正常的早期固化或過早變硬現(xiàn)象。在水泥用水拌和的幾分鐘內物料就顯示凝結，攪拌后又可恢復可塑性。
A、假凝
B、終凝
C、快凝
D、緩凝
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對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題