判斷題一般情況下,空氣隙的磁阻比鐵芯的磁阻大得多。
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1.單項(xiàng)選擇題載流導(dǎo)體在磁場(chǎng)中所受到磁場(chǎng)力的方向由()確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
2.單項(xiàng)選擇題直導(dǎo)體切割磁力線(xiàn)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的方向可由()確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
3.單項(xiàng)選擇題電流所產(chǎn)生磁場(chǎng)的方向按()確定。
A、歐姆定律
B、右手螺旋定則
C、基爾霍夫定律
D、楞次定律
4.單項(xiàng)選擇題電場(chǎng)強(qiáng)度的單位符號(hào)是()。
A、V/m
B、V
C、W
D、VA
最新試題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類(lèi)型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型:填空題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線(xiàn)中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題