單項選擇題電流所產(chǎn)生磁場的方向按（）確定。
A、歐姆定律
B、右手螺旋定則
C、基爾霍夫定律
D、楞次定律
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最新試題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型：判斷題