注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級近似為（）?？蓪懗桑?img src="https://newimg.ppkao.com/2019-07/wangjing/2019070410290232389.jpg" />
最新試題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
摻雜后，退火的目的是（）。
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）
消除鳥嘴效應的方法有（）。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）