多項(xiàng)選擇題消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前,將窗口處的硅腐蝕掉深度,再進(jìn)行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
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1.單項(xiàng)選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
2.單項(xiàng)選擇題硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
3.單項(xiàng)選擇題下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
4.單項(xiàng)選擇題如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細(xì)菌
5.單項(xiàng)選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型:判斷題