填空題CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。
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式中A、B為與擴(kuò)散率成正比的常數(shù)，τ為由（）決定的時間修正系數(shù)。最新試題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
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光刻工藝的特點包括（）。
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題型：判斷題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
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題型：多項選擇題