本征半導體中摻入少量五價元素構成。
當T升高或光線照射時，產(chǎn)生自由電子空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。
完全純凈的半導體稱為本征半導體。它們是制造半導體器件的基本材料。
電導率介于金屬和絕緣體之間的材料稱為半導體。
最新試題
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
平衡態(tài)下在pn結中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。
MOS管是一種電流型半導體器件，BJT是一種電壓型半導體器件。
猝滅劑
激活劑
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
等離子體
磁滯回線
有A和B兩種單質晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。