當(dāng)原子中的電子處于低能級時，吸收光子的能量后從低能級躍遷到高能級----光吸收。
原子在沒有外界干預(yù)的情況下，電子會由處于激發(fā)態(tài)的高能級E2自動躍遷至低能級E1，這種躍遷稱為自發(fā)輻射。
本征半導(dǎo)體中摻入少量五價元素構(gòu)成。
當(dāng)T升高或光線照射時，產(chǎn)生自由電子空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。
最新試題
光生伏特效應(yīng)
敏化劑
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
本征吸收
光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
磁滯回線
MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
本征光電導(dǎo)