原子在沒有外界干預(yù)的情況下，電子會由處于激發(fā)態(tài)的高能級E2自動躍遷至低能級E1，這種躍遷稱為自發(fā)輻射。
本征半導(dǎo)體中摻入少量五價元素構(gòu)成。
當T升高或光線照射時，產(chǎn)生自由電子空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。
完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。它們是制造半導(dǎo)體器件的基本材料。
最新試題
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。
半導(dǎo)體中的價帶空穴電流其實就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價說法。
當一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
猝滅劑
等離子體