A.p區(qū)多子是空穴
B.n區(qū)少子是空穴
C.平衡后p區(qū)邊緣帶負(fù)電
D.平衡后n區(qū)邊緣帶正電
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A.光伏組件
B.U盤存儲器
C.光盤
D.USB充電線
E.英特爾i7型CPU
A.p區(qū)源源不斷向n區(qū)擴(kuò)散原子
B.沒有通過截面的靜電流
C.p區(qū)和n區(qū)帶有同樣數(shù)量的電荷量
D.除了空間電荷區(qū)之外的材料都是電中性
A.p區(qū)接電源正極
B.n區(qū)結(jié)電源負(fù)極
C.偏置電壓只要大于0伏,pn結(jié)就處于正向?qū)顟B(tài)
D.此時p區(qū)向n區(qū)注入空穴
A.空穴在價帶中
B.電子在導(dǎo)帶中
C.電子濃度等于空穴濃度
D.電子濃度隨溫度升高而增大
E.空穴濃度隨溫度升高而增大
F.空穴濃度和電子濃度之和隨溫度升高而增大
G.空穴濃度和電子濃度之乘積隨溫度升高而增大
A.狀態(tài)密度
B.溫度
C.費(fèi)米能級
D.導(dǎo)帶能級密度
最新試題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
MOS管閾值電壓的單位是eV。
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。