多項(xiàng)選擇題本征硅的載流子濃度說法中，哪些是正確的？（）

A.空穴在價(jià)帶中
B.電子在導(dǎo)帶中
C.電子濃度等于空穴濃度
D.電子濃度隨溫度升高而增大
E.空穴濃度隨溫度升高而增大
F.空穴濃度和電子濃度之和隨溫度升高而增大
G.空穴濃度和電子濃度之乘積隨溫度升高而增大


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1.多項(xiàng)選擇題決定本征硅的載流子濃度的因素有（）。

A.狀態(tài)密度
B.溫度
C.費(fèi)米能級(jí)
D.導(dǎo)帶能級(jí)密度

2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于費(fèi)米能級(jí)的說法中，正確的有（）。

A.純硅的費(fèi)米能級(jí)位于帶隙正中央
B.摻雜了鋁的硅的費(fèi)米能級(jí)靠近價(jià)帶
C.摻雜了鍺的硅的費(fèi)米能級(jí)靠近導(dǎo)帶
D.施主型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)靠近價(jià)帶

3.多項(xiàng)選擇題對(duì)于純硅而言，進(jìn)行施主型摻雜以后（）。

A.電子濃度增大
B.硅的帶隙中出現(xiàn)了施主能級(jí)
C.少子數(shù)量增大
D.施主型載流子濃度就是多子濃度

4.多項(xiàng)選擇題關(guān)于費(fèi)米分布函數(shù)的說法，哪些是正確的？（）

A.它表明能量為E的狀態(tài)被占據(jù)的幾率
B.取值范圍為0%～100%
C.根據(jù)這個(gè)函數(shù)，溫度越高，導(dǎo)帶能級(jí)被占據(jù)的幾率越小
D.費(fèi)米能級(jí)被占據(jù)的幾率是50%

5.多項(xiàng)選擇題絕對(duì)零度時(shí)，純硅中（）。

A.沒有可動(dòng)空穴
B.沒有可動(dòng)電子
C.沒有可動(dòng)載流子
D.沒有聲子