A.狀態(tài)密度
B.溫度
C.費米能級
D.導(dǎo)帶能級密度
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A.純硅的費米能級位于帶隙正中央
B.摻雜了鋁的硅的費米能級靠近價帶
C.摻雜了鍺的硅的費米能級靠近導(dǎo)帶
D.施主型半導(dǎo)體的費米能級靠近價帶
A.電子濃度增大
B.硅的帶隙中出現(xiàn)了施主能級
C.少子數(shù)量增大
D.施主型載流子濃度就是多子濃度
A.它表明能量為E的狀態(tài)被占據(jù)的幾率
B.取值范圍為0%~100%
C.根據(jù)這個函數(shù),溫度越高,導(dǎo)帶能級被占據(jù)的幾率越小
D.費米能級被占據(jù)的幾率是50%
A.沒有可動空穴
B.沒有可動電子
C.沒有可動載流子
D.沒有聲子
A.雜質(zhì)激發(fā)主要發(fā)生在高溫段
B.本征激發(fā)主要發(fā)生在低溫段
C.絕對零度時不存在雜質(zhì)激發(fā)
D.本征激發(fā)的載流子濃度是多子濃度
最新試題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
1947年,()等人制造了第一個晶體管。