多項(xiàng)選擇題下列因素會(huì)影響一條導(dǎo)線的總的寄生電容的有（）。

A.絕緣層的厚度
B.導(dǎo)線的寬度
C.導(dǎo)線之間的線間距
D.金屬層的厚度


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1.多項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)電路的靜態(tài)功耗不可忽略時(shí)，關(guān)于使它一次翻轉(zhuǎn)消耗的總能量最小的電源電壓的表述正確的是（）。

A.應(yīng)該充分降低VDD
B.能耗與VDD不是單調(diào)關(guān)系，存在一個(gè)最優(yōu)的電源電壓
C.過低的VDD會(huì)引起靜態(tài)能耗增加
D.最優(yōu)的VDD通常小于晶體管的閾值電壓

2.單項(xiàng)選擇題一個(gè)輸入為0的CMOS反相器的PMOS管存在哪些會(huì)引起靜態(tài)功耗的漏電流？（）

A.柵氧化層隧穿電流
B.亞閾值漏電流
C.柵極感應(yīng)漏端漏電GIDL
D.pn結(jié)反偏漏電流（BTBT）

3.多項(xiàng)選擇題一個(gè)數(shù)字電路的平均功耗和下列哪些量成正比？（）

A.開關(guān)活動(dòng)性
B.工作頻率
C.電路的寄生電容
D.全擺幅時(shí)的電源電壓

4.單項(xiàng)選擇題一個(gè)邏輯門輸出從低電平向高電平翻轉(zhuǎn)的過程中存在（）動(dòng)態(tài)功耗，從高電平向低電平翻轉(zhuǎn)的過程中存在（）動(dòng)態(tài)功耗。

A.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；直流通路引起的功耗
B.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；電容充電功耗和直流通路引起的功耗
C.電容充電功耗；直流通路引起的功耗
D.直流通路引起的功耗；電容充電功耗和直流通路引起的功耗
E.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；無

5.多項(xiàng)選擇題芯片的功耗會(huì)影響下列哪些系統(tǒng)指標(biāo)？（）

A.待機(jī)時(shí)間
B.散熱成本
C.可靠性
D.設(shè)計(jì)復(fù)雜度