A.應(yīng)該充分降低VDD
B.能耗與VDD不是單調(diào)關(guān)系,存在一個最優(yōu)的電源電壓
C.過低的VDD會引起靜態(tài)能耗增加
D.最優(yōu)的VDD通常小于晶體管的閾值電壓
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A.柵氧化層隧穿電流
B.亞閾值漏電流
C.柵極感應(yīng)漏端漏電GIDL
D.pn結(jié)反偏漏電流(BTBT)
A.開關(guān)活動性
B.工作頻率
C.電路的寄生電容
D.全擺幅時(shí)的電源電壓
A.電容充電功耗和直流通路引起的功耗;直流通路引起的功耗
B.電容充電功耗和直流通路引起的功耗;電容充電功耗和直流通路引起的功耗
C.電容充電功耗;直流通路引起的功耗
D.直流通路引起的功耗;電容充電功耗和直流通路引起的功耗
E.電容充電功耗和直流通路引起的功耗;無
A.待機(jī)時(shí)間
B.散熱成本
C.可靠性
D.設(shè)計(jì)復(fù)雜度
A.增大
B.減小
C.不變
最新試題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來到大眾視線
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說法錯誤的是()。
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
AUBM的形成可以采用()方法。
以下不屬于打碼目的的是()。