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問(wèn)答題什么是濕法刻蝕？

濕法刻蝕首先要用含有可以分解表面薄層的反應(yīng)物的溶液浸潤(rùn)刻蝕面；

1.問(wèn)答題淀積的主要作用是什么？

生成器件制造所需的材料

2.問(wèn)答題為什么說(shuō)柵氧化層的生長(zhǎng)是非常重要的一道工序？

氧化層的厚度決定了晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力和可靠性，其精度必須控制在幾個(gè)百分點(diǎn)以內(nèi)。

3.問(wèn)答題氧化的目的是什么？

利用硅獨(dú)有的特性制造薄到幾十埃（只有幾個(gè)原子層）的柵氧化層

4.問(wèn)答題什么是非接觸曝光方式？

掩膜與晶圓不接觸的光刻方式，分為接近式和投影式兩種

5.問(wèn)答題接觸曝光方式的關(guān)鍵技術(shù)有哪些？它的主要優(yōu)缺點(diǎn)是什么？