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問(wèn)答題CMOS包括哪幾種具體工藝？

P阱CMOS工藝，N阱CMOS工藝和雙阱CMOS工藝

1.問(wèn)答題CMOS工藝是如何在一種襯底材料上實(shí)現(xiàn)不同類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的？阱有幾種類(lèi)型？每種類(lèi)型可制作什么類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管？

2.問(wèn)答題FET的不同分類(lèi)方法有哪些？

按襯底材料有Si，GaAs，InP按場(chǎng)形成結(jié)構(gòu)有J/MOS/MES按載流子類(lèi)型有P/N按溝道形成方式區(qū)分有E/D

3.問(wèn)答題為什么NMOS工藝優(yōu)于PMOS工藝？

N溝道FET的速度將比P溝道FET快2.5倍

4.問(wèn)答題硅柵工藝有哪些優(yōu)點(diǎn)？

自對(duì)準(zhǔn)無(wú)需重疊設(shè)計(jì)減小了電容提高了速度減小了柵、源、漏極尺寸增加集成度；增加電路可靠性

5.問(wèn)答題什么是自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)？

將兩次MASK步驟合為一次，讓D，S和G三個(gè)區(qū)域一次成形