A.算法級(jí)描述決定系統(tǒng)的實(shí)施方式(體系結(jié)構(gòu)、算法)
B.門(mén)級(jí)描述是基于基本元件(AND/OR/NOT/FF等)的電路設(shè)計(jì)
C.門(mén)級(jí)描述決定硬件的處理方式(數(shù)據(jù)電路與控制電路)
D.RTL描述包括時(shí)鐘級(jí)的時(shí)序設(shè)計(jì)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.Fetch
B.Decode
C.Execute
D.Encode
E.Writeback
F.Compile
A.無(wú)論使用者的經(jīng)驗(yàn)、文化水平、語(yǔ)言技能、使用時(shí)的注意力集中程度如何,都能容易地理解設(shè)計(jì)物的使用方式
B.設(shè)計(jì)物對(duì)于不同能力的人們來(lái)說(shuō)都是有用而適合的
C.提供合適的尺度和空間以便于接近、到達(dá)、操控和使用,無(wú)論使用者的生理尺寸、體態(tài)和動(dòng)態(tài)
D.設(shè)計(jì)物應(yīng)該降低由于偶然動(dòng)作和失誤而產(chǎn)生的危害及負(fù)面后果
關(guān)于CMOS反相器,以下描述中哪些是正確的()。
A.A
B.B
C.C
D.D
A.溫度升高,載流子遷移率升高,跨導(dǎo)升高,閥值電壓升高
B.溫度升高,載流子遷移率升高,跨導(dǎo)下降,閥值電壓下降
C.溫度升高,載流子遷移率下降,跨導(dǎo)下降,閥值電壓升高
D.溫度升高,載流子遷移率下降,跨導(dǎo)下降,閥值電壓下降
A.SOP
B.BCD
C.BMOS
D.CMOS
E.BiMOS
F.BCG
最新試題
倒裝芯片的連接方式有()。
鍵合工藝失效,焊盤(pán)產(chǎn)生彈坑的原因有()。
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。