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A.寬度大約幾百個(gè)微米
B.其寬度與外加偏置電壓大小有關(guān)
C.反向偏置寬度增大
D.正向偏置寬度增大
E.內(nèi)部存在著熱平衡載流子
F.與p區(qū)和n區(qū)相比最容易失效
A.p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散電子
C.p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的空穴多于n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的空穴
D.n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的電子多于p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的電子
A.p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散電子
C.p區(qū)向n區(qū)漂移電子
D.n區(qū)向p區(qū)漂移空穴
E.p區(qū)不斷地向n區(qū)擴(kuò)散原子
A.p區(qū)邊界電子濃度為零
B.n區(qū)邊界空穴濃度為零
C.p區(qū)邊界少子濃度為零
D.n區(qū)邊界少子濃度為零
E.空間電荷區(qū)本征載流子濃度為零
F.空間電荷區(qū)載流子濃度為零
最新試題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。