A.p區(qū)向n區(qū)擴散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴散電子
C.p區(qū)向n區(qū)漂移電子
D.n區(qū)向p區(qū)漂移空穴
E.p區(qū)不斷地向n區(qū)擴散原子
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A.p區(qū)邊界電子濃度為零
B.n區(qū)邊界空穴濃度為零
C.p區(qū)邊界少子濃度為零
D.n區(qū)邊界少子濃度為零
E.空間電荷區(qū)本征載流子濃度為零
F.空間電荷區(qū)載流子濃度為零
A.合金法
B.擴散法
C.離子注入法
D.外延生長法
A.pn結(jié)各處具有統(tǒng)一的費米能級
B.p區(qū)本征費米能級高于n區(qū)本征費米能級
C.p區(qū)各能帶高于n區(qū)
D.n區(qū)費米能級高于p區(qū)
A.pn結(jié)空間電場區(qū)加寬
B.pn結(jié)空間電荷區(qū)縮窄
C.pn結(jié)不導(dǎo)電
D.pn結(jié)處于反向截止?fàn)顟B(tài)
A.p區(qū)多子是空穴
B.n區(qū)少子是空穴
C.平衡后p區(qū)邊緣帶負電
D.平衡后n區(qū)邊緣帶正電
最新試題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
實際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
MOS管閾值電壓的單位是eV。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。