A.p區(qū)向n區(qū)擴散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴散電子
C.p區(qū)進入n區(qū)的空穴多于n區(qū)進入p區(qū)的空穴
D.n區(qū)進入p區(qū)的電子多于p區(qū)進入n區(qū)的電子
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A.p區(qū)向n區(qū)擴散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴散電子
C.p區(qū)向n區(qū)漂移電子
D.n區(qū)向p區(qū)漂移空穴
E.p區(qū)不斷地向n區(qū)擴散原子
A.p區(qū)邊界電子濃度為零
B.n區(qū)邊界空穴濃度為零
C.p區(qū)邊界少子濃度為零
D.n區(qū)邊界少子濃度為零
E.空間電荷區(qū)本征載流子濃度為零
F.空間電荷區(qū)載流子濃度為零
A.合金法
B.擴散法
C.離子注入法
D.外延生長法
A.pn結(jié)各處具有統(tǒng)一的費米能級
B.p區(qū)本征費米能級高于n區(qū)本征費米能級
C.p區(qū)各能帶高于n區(qū)
D.n區(qū)費米能級高于p區(qū)
A.pn結(jié)空間電場區(qū)加寬
B.pn結(jié)空間電荷區(qū)縮窄
C.pn結(jié)不導(dǎo)電
D.pn結(jié)處于反向截止狀態(tài)
最新試題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結(jié)。
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。