A.寬度大約幾百個微米
B.其寬度與外加偏置電壓大小有關
C.反向偏置寬度增大
D.正向偏置寬度增大
E.內部存在著熱平衡載流子
F.與p區(qū)和n區(qū)相比最容易失效
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.p區(qū)向n區(qū)擴散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴散電子
C.p區(qū)進入n區(qū)的空穴多于n區(qū)進入p區(qū)的空穴
D.n區(qū)進入p區(qū)的電子多于p區(qū)進入n區(qū)的電子
A.p區(qū)向n區(qū)擴散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴散電子
C.p區(qū)向n區(qū)漂移電子
D.n區(qū)向p區(qū)漂移空穴
E.p區(qū)不斷地向n區(qū)擴散原子
A.p區(qū)邊界電子濃度為零
B.n區(qū)邊界空穴濃度為零
C.p區(qū)邊界少子濃度為零
D.n區(qū)邊界少子濃度為零
E.空間電荷區(qū)本征載流子濃度為零
F.空間電荷區(qū)載流子濃度為零
A.合金法
B.擴散法
C.離子注入法
D.外延生長法
A.pn結各處具有統(tǒng)一的費米能級
B.p區(qū)本征費米能級高于n區(qū)本征費米能級
C.p區(qū)各能帶高于n區(qū)
D.n區(qū)費米能級高于p區(qū)
最新試題
MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質和缺陷。
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。