單項(xiàng)選擇題摻氯氧化使用的HCL是（）。
A.液態(tài)源
B.固態(tài)源
C.氣態(tài)源
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1.單項(xiàng)選擇題二氧化硅中每個(gè)硅原子周圍有（）個(gè)氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
2.單項(xiàng)選擇題以下哪項(xiàng)不是STI工藝氣體？（）
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
3.單項(xiàng)選擇題CMP清洗部分的順序是（）。
A.兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）-Brush（刷洗）
B.兆聲清洗（Meg）-Brush（刷洗）-SRD（甩干）
C.Brush（刷洗）-兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）
D.Brush（刷洗）-SRD（甩干）-兆聲清洗（Meg）
4.單項(xiàng)選擇題高電流注入機(jī)的掃描方式為（）。
A.靜電掃描
B.機(jī)械掃描
C.靜電掃描與機(jī)械掃描結(jié)合
5.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)屬于BF3的特性的是（）
A.黃色標(biāo)識(shí)，有白煙
B.紅色標(biāo)識(shí)，臭大蒜味道
C.黑色標(biāo)識(shí)，無色大蒜味
最新試題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題