最新試題
晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題