填空題曝光后顯影時感光的膠層沒有溶解，沒有感光的膠層溶解，這種膠為（）（正/負(fù)）膠。
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2.單項選擇題
下面選項屬于主擴散的作用有（）。
1.調(diào)節(jié)表面濃度
2.控制進(jìn)入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量
3.控制結(jié)深
A.1
B.2
C.3
D.1、3
3.單項選擇題
不論正膠或負(fù)膠，光刻過程中都包括如下步驟：
1.刻蝕
2.前烘
3..顯影
4.去膠
5.涂膠
6.曝光
7.堅膜
以下選項排列正確的是：（）。
A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。
4.單項選擇題半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于（）。
A.結(jié)晶形二氧化硅
B.無定形二氧化硅
5.名詞解釋再分布
最新試題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題