單項(xiàng)選擇題進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
A.堿溶液清洗
B.有機(jī)溶液清洗
C.HF結(jié)尾的清洗工藝
D.去離子水沖洗
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1.多項(xiàng)選擇題刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
A.光刻膠
B.Si襯底
C.刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物
D.刻蝕溶液
2.多項(xiàng)選擇題摻雜后,退火的目的是()。
A.實(shí)現(xiàn)電激活
B.修復(fù)損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷
3.多項(xiàng)選擇題常壓的硅外延方法有()。
A.四氯化硅氫還原法
B.三氯氫硅氫還原法
C.二氯氫硅烷法
D.硅烷熱分解法
4.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
A.氧化
B.離子注入
C.光刻
D.拋光
5.單項(xiàng)選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)?()
A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質(zhì)量
最新試題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:單項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
題型:單項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
題型:多項(xiàng)選擇題