單項選擇題以下不是影響刻蝕質(zhì)量的主要因素是()。????
A.粘附性
B.刻蝕溫度
C.刻蝕時間
D.刻蝕槽的高度
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題下列有關(guān)集成電路發(fā)展趨勢的描述中,不正確的是()。???
A.特征尺寸越來越小
B.晶圓尺寸越來越小
C.電源電壓越來越低
D.時鐘頻率越來越高
2.單項選擇題體現(xiàn)集成電路工藝技術(shù)水平的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是:()。???
A.特征尺寸
B.器件數(shù)量
C.互連線長度
D.互連線層數(shù)
3.單項選擇題以下不是集成電路制造工藝特點(diǎn)的是:()。
A.超凈
B.高精度
C.低精度
D.超純
4.單項選擇題畫小信號等效電路時,恒定電流源視為()。?
A.電阻
B.受控電流源
C.短路
D.開路
5.單項選擇題在NMOS中,若VSB大于0,會使閾值電壓()。
A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小
最新試題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
題型:多項選擇題
AUBM的形成可以采用()方法。
題型:多項選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項選擇題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項選擇題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
題型:單項選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:單項選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對設(shè)定的電性能無法調(diào)整,而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
題型:判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項選擇題