單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)集成電路發(fā)展趨勢(shì)的描述中，不正確的是（）。???

A.特征尺寸越來(lái)越小
B.晶圓尺寸越來(lái)越小
C.電源電壓越來(lái)越低
D.時(shí)鐘頻率越來(lái)越高


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1.單項(xiàng)選擇題體現(xiàn)集成電路工藝技術(shù)水平的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是：（）。???

A.特征尺寸
B.器件數(shù)量
C.互連線長(zhǎng)度
D.互連線層數(shù)

2.單項(xiàng)選擇題以下不是集成電路制造工藝特點(diǎn)的是：（）。

A.超凈
B.高精度
C.低精度
D.超純

3.單項(xiàng)選擇題畫小信號(hào)等效電路時(shí)，恒定電流源視為（）。?

A.電阻
B.受控電流源
C.短路
D.開路

4.單項(xiàng)選擇題在NMOS中，若VSB大于0，會(huì)使閾值電壓（）。

A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小

5.單項(xiàng)選擇題

下圖中的MOS管工作在（）區(qū)（假定Vth=0.7V）。

A.截止區(qū)
B.深三極管區(qū)
C.三極管區(qū)
D.飽和區(qū)