單項(xiàng)選擇題在NMOS中,若VSB大于0,會(huì)使閾值電壓()。
A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小
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1.單項(xiàng)選擇題
下圖中的MOS管工作在()區(qū)(假定Vth=0.7V)。
A.截止區(qū)
B.深三極管區(qū)
C.三極管區(qū)
D.飽和區(qū)
2.單項(xiàng)選擇題集成電路代工產(chǎn)業(yè)的締造者是()。?
A.基爾比
B.摩爾
C.張忠謀
D.胡正明
3.單項(xiàng)選擇題FinFET等多種新結(jié)構(gòu)器件的發(fā)明人是:()。?
A.基爾比
B.摩爾
C.張忠謀
D.胡正明
4.單項(xiàng)選擇題()年發(fā)明了世界上第一個(gè)點(diǎn)接觸型晶體管。?
A.1947
B.1948
C.1957
D.1958
5.單項(xiàng)選擇題單個(gè)芯片上集成約50萬(wàn)個(gè)器件,按照規(guī)模劃分,該芯片為:()。?
A.LSI
B.VLSI
C.ULSI
D.SoC
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塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
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