顯影也應(yīng)具有選擇性,高的顯影選擇性比意味著顯影液與曝光的光刻膠反應(yīng)得快。 要求比例低。
最新試題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
摻雜后,退火的目的是()。
進行溝槽填充常用的金屬材料是()。
常壓的硅外延方法有()。
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
進行光刻工藝前的清洗步驟是()。
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。