A.線性關(guān)系
B.平方根關(guān)系
C.無(wú)關(guān)
D.對(duì)數(shù)關(guān)系
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A.加數(shù)到和的路徑
B.加數(shù)到進(jìn)位輸出的路徑
C.進(jìn)位輸入到和的路徑
D.進(jìn)位輸入到進(jìn)位輸出的路徑
A.AB+C(A+B)
B.AB+C(A^B)
C.A+B+C
D.A^B^C
A.增加時(shí)鐘線與其它互連線的間距
B.增加時(shí)鐘線的寬度
C.時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器旁邊放置去耦電容
D.在時(shí)鐘線兩側(cè)放置地線
E.時(shí)鐘線繞線時(shí)進(jìn)行RC匹配
A.通過(guò)增加互連線的分支降低布線難度
B.通過(guò)均衡時(shí)鐘信號(hào)的路徑延時(shí)使得時(shí)鐘偏差最小化
C.把時(shí)鐘信號(hào)均勻的分散到芯片各處
D.使得每個(gè)分支上的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器數(shù)量相等
A.IR drop
B.溫度梯度
C.信號(hào)線對(duì)時(shí)鐘線的干擾
D.時(shí)鐘源的抖動(dòng)
最新試題
以下不屬于打碼目的的是()。
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說(shuō)法正確的是()。
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
AUBM的形成可以采用()方法。
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。