A.AB+C(A+B)
B.AB+C(A^B)
C.A+B+C
D.A^B^C
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A.增加時(shí)鐘線與其它互連線的間距
B.增加時(shí)鐘線的寬度
C.時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器旁邊放置去耦電容
D.在時(shí)鐘線兩側(cè)放置地線
E.時(shí)鐘線繞線時(shí)進(jìn)行RC匹配
A.通過(guò)增加互連線的分支降低布線難度
B.通過(guò)均衡時(shí)鐘信號(hào)的路徑延時(shí)使得時(shí)鐘偏差最小化
C.把時(shí)鐘信號(hào)均勻的分散到芯片各處
D.使得每個(gè)分支上的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器數(shù)量相等
A.IR drop
B.溫度梯度
C.信號(hào)線對(duì)時(shí)鐘線的干擾
D.時(shí)鐘源的抖動(dòng)
A.器件之間的工藝偏差
B.互連線介質(zhì)厚度不均勻
C.溫度梯度(分布的不均勻性)
D.IR drop
A.盡量使得芯片各處的時(shí)鐘信號(hào)同時(shí)翻轉(zhuǎn)
B.時(shí)鐘信號(hào)的邊沿陡直
C.減小時(shí)鐘信號(hào)延時(shí)
D.用盡量少的線把所有寄存器時(shí)鐘引腳連在一起就可以
最新試題
通常芯片上的引出端焊盤(pán)是排列在管芯片附近的方形()。
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整,而B(niǎo)GA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說(shuō)法正確的是()。
電子封裝是指對(duì)電路芯片進(jìn)行包裝,進(jìn)而保護(hù)電路芯片,以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。