多項(xiàng)選擇題?Grove模型建模時(shí)，關(guān)注的主要運(yùn)動(dòng)形式有（）。

A.反應(yīng)運(yùn)動(dòng)
B.擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
C.脫吸運(yùn)動(dòng)
D.漂移運(yùn)動(dòng)


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1.多項(xiàng)選擇題?以下關(guān)于CVD的描述正確的有（）。

A.hg≥ks，淀積速率為擴(kuò)散控制
B.hg≤ks，淀積速率為反應(yīng)控制
C.hg≥ks，淀積速率為反應(yīng)控制
D.hg≤ks，淀積速率為擴(kuò)散控制

2.多項(xiàng)選擇題CVD淀積SiO2薄膜過(guò)程中主要涉及的運(yùn)動(dòng)有哪些？（）

A.漂移運(yùn)動(dòng)
B.反應(yīng)運(yùn)動(dòng)
C.擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
D.加接運(yùn)動(dòng)

3.多項(xiàng)選擇題CVD基本過(guò)程包括（）。

A.在表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在表面淀積成薄膜
B.副產(chǎn)物脫離吸附
C.脫吸副產(chǎn)物逸出反應(yīng)室
D.反應(yīng)劑傳輸至襯底表面，反應(yīng)劑吸附在表面

4.多項(xiàng)選擇題?CVD薄膜有哪些應(yīng)用？（）

A.鎢塞
B.鈍化層
C.層間介質(zhì)BPSG

5.多項(xiàng)選擇題?CVD技術(shù)可以制備的薄膜有（）。

A.SiO2
B.單晶硅
C.BSG
D.Si3N4