A.布線分全局布線與詳細(xì)布線兩個(gè)階段，決定布線途徑
B.當(dāng)某個(gè)布線變?yōu)椴豢赡軙r(shí)，確定并拆除成為其障礙物的布線群，進(jìn)行重新布線，使其不再成為其它布線的障礙
C.基于階層的布局設(shè)計(jì)包括自頂向下的布圖規(guī)劃和自下向上的模塊布局
D.自頂向下的布圖規(guī)劃包括對(duì)階層模塊進(jìn)行面積預(yù)估、確定aspect比、放置模塊及模塊間時(shí)間制約的分割
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A.是一種高速計(jì)算近似值的算法
B.是在實(shí)際可行的時(shí)間內(nèi)計(jì)算布局布線最優(yōu)解的算法
C.是求局部最優(yōu)解的算法
D.為了讓近似值接近最優(yōu)解，有必要改變執(zhí)行條件（初解、控制參數(shù)）多次進(jìn)行重新計(jì)算
A.DRC
B.LVS
C.時(shí)序驗(yàn)證
D.信號(hào)完全性
A.clock skew
B.組合電路的最大延遲
C.FF的Setup時(shí)間
D.FF的Hold時(shí)間
A.Distributed BIST
B.Direct Access
C.Test Bus
D.Boundary Scan
A.由于內(nèi)嵌測(cè)試模式發(fā)生器，不需要額外生成測(cè)試模式
B.由于只輸出GO/NOGO，故障分析很困難
C.由于內(nèi)嵌測(cè)試輸出評(píng)估部，不需要高價(jià)測(cè)試設(shè)備，可降低成本
D.不可用于Burn-In測(cè)試
最新試題
倒裝芯片的連接方式有（）。
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯(cuò)誤的是（）。
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯(cuò)誤的是（）。
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。