問(wèn)答題試說(shuō)明在CMOS工藝中主要采用的器件隔離技術(shù)，并說(shuō)明每種工藝技術(shù)的主要特點(diǎn)和適用范圍。
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列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型：?jiǎn)柎痤}
二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
舉例說(shuō)明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。
題型：判斷題
普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。
題型：判斷題
下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
自由電子是載流子，空穴不是。
題型：判斷題
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢(shì)比N 區(qū)高。
題型：判斷題